ABB 5SHX1960L0006 3BHB016120R0002  模塊

　　Due to the turn-of in a transistor mode very high dv/dtrobustness is experienced. This feature allows inherentlyto reduce or to get rid of the dv/dt snubber. A snubber-less operation of the IGCT can be found in fig. 2, wherethe turn-off of 3kA with a 1stgeneration IGCT device isshown.VD VG IT-2.5-2.0-1.5-1.0-0.50.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.0kV-25-20-15-10-505101520253035404550V-2.5-2.0-1.5-1.0-0.50.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.0kA10 15 20 25 30 35 40μsFigure 2:3kA Snubberless Turn-off of a 4.5kV(85mm) 1stgeneration IGCT3kA, 4.5kV, 125 °C,85mmGTO IGCT 1stgen.On-state voltage Vtm 3.2 V 3.2 VTurn-on di/dt 500 A/μs 3000 A/μsTurn-on energy Eon 5Ws 1 WsTurn-off energy Eoff (3kA)10 Ws at6μF10 Ws at 6μF13 Ws at 0μFSnubber cap. Cs (3 kA) 6 μF 0 to 6μFMax turn-off currentITGQM3 kA 3 to 6kAGate drive power (500 Hz) 80 W 30 WGate stored charge Qgq 8000 μC 2000 μCMax. turn-off dv/dt 500V/μs 3-4000V/μsStorage time ts 20 μs 1 μs

　　5SHX1445H0002功率半導體的發(fā)展必須面對物理和經(jīng)濟上的限制，即阻斷電壓和最大關(guān)斷電流的不斷發(fā)展。目前，GTO技術(shù)的典型最大值是6kV動態(tài)阻斷電壓和6k關(guān)斷電流。這相當于一個沒有串聯(lián)裝置的NPC逆變器的最大逆變功率約為15MVA。最新的IGCT技術(shù)本質(zhì)上包括進一步擴大這一數(shù)值的可能性。但這種創(chuàng)新將不足以滿足未來的需求。未來的電力電子系統(tǒng)市場要求轉(zhuǎn)換器的功率，明顯超過15MVA的數(shù)值。為了達到更高的額定功率，一種解決方案是將總功率分配給幾個子系統(tǒng)。這種安裝方式比單一的大功率轉(zhuǎn)換器要復雜得多。更重要的是，它們的購買和運行成本更高，效率更低，全功率能力下降，而且占用更多空間。未來大功率應(yīng)用的關(guān)鍵創(chuàng)新是引進串聯(lián)的關(guān)斷設(shè)備。

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